Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R080CFDFKSA1

IPW65R080CFDFKSA1 Hakkında

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 700V drain-source voltaj ve 43.3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80mOhm (10V, 17.6A'da) maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürme sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 170nC (@10V) olup, hızlı komütasyon özelliği sağlar. 391W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5030 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.76mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok