Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R080CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R080CFDA
IPW65R080CFDAFKSA1 Hakkında
IPW65R080CFDAFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Sürekli dren akımı 43.3A (@25°C) kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü görevlerini yerine getirir. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli işlem sağlayan bu transistör, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüşüm sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 391W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 391W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.76mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok