Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R070C6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R070C6

IPW65R070C6FKSA1 Hakkında

IPW65R070C6FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 53.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, invertörler, motor sürücüleri ve AC/DC uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Part Status 'Not For New Designs' olduğu için yeni tasarımlarda yerini daha güncel MOSFET serileri alırken, mevcut uygulamalarda ve bakım çalışmalarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 17.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.76mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok