Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R060CFD7XKSA1

650V FET COOLMOS TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R060CFD7XKSA1

IPW65R060CFD7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPW65R060CFD7XKSA1, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. COOLMOS teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 36A sürekli dren akımı kapasitesine ve 60mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Yüksek gerilim anahtarlaması gerektiren endüstriyel konvertörler, inverterler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 171W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile kritik güç uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3288 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 860µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok