Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R050CFD7

IPW65R050CFD7AXKSA1 Hakkında

IPW65R050CFD7AXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. TO-247-3 paket tipi ile sunulan transistör, 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel motor kontrolü, inverter devreleri, güç kaynakları ve traction uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 102nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4975 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 24.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.24mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok