Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R048CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R048CFDA
IPW65R048CFDAFKSA1 Hakkında
IPW65R048CFDAFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 63.3A sürekli akım yeteneği ile yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 48mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 500W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir ve 10V gate sürüş voltajı ile kolayca yönetilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 29.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok