Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R045C7300XKSA1

MOSFET N-CH 650V 46A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R045C7

IPW65R045C7300XKSA1 Hakkında

IPW65R045C7300XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 46A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 45mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) ile güç kaybını minimalize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 227W güç yayabilme kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.25mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok