Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R041CFDFKSA2
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R041C
IPW65R041CFDFKSA2 Hakkında
IPW65R041CFDFKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek güçlü N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 68.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır. 41mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. IGBT ve MOSFET tabanlı konvertörler, invertörler, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 33.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok