Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R041CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R041CFDFKSA1
IPW65R041CFDFKSA1 Hakkında
IPW65R041CFDFKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V dren-kaynak gerilimi ve 68.5A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (41mOhm @ 10V) sayesinde enerji kayıplarını minimize eder. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. 500W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. Cihazın artık yeni tasarımlar için önerilmediği (Not For New Designs) durumundan, alternatif modellere bakılması tavsiye edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 33.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok