Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R041CFD7XKSA1
IPW65R041CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPW65R041CFD7XKSA1, 650V derecelendirilmiş N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A sürekli dren akımı kapasitesine ve 41mΩ maksimum on-state direncine sahiptir. COOLMOS teknolojisine dayanan bu FET, 227W maksimum güç yayılımına dayanabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynağı tasarımları ve endüstriyel sürücü devreleri başta olmak üzere, 650V sınıfındaki enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4975 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 24.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok