Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R037C6
IPW65R037C6FKSA1 Hakkında
IPW65R037C6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajına ve 83.2A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlemlerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürme devreleri, invertörler, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 37mΩ maksimum Rds(On) değeri ve 10V gate sürme voltajı ile düşük güç kaybı sağlayan bu MOSFET, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 500W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır yük uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 33.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok