Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R029CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R029CFD
IPW65R029CFD7XKSA1 Hakkında
IPW65R029CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 69A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 29mΩ açık kapı direnci ile minimal güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 145nC olup, 145W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında, indüktör kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve koruma devre uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7149 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 35.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.79mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok