Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R019C7
IPW65R019C7FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPW65R019C7FKSA1, 650V ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paket tipi ile sunulan bu komponent, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, elektrik motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 19mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, 446W güç dağılım kapasitesine ve 10V kontrol voltajına sahiptir. Gate yükü 215nC olup, hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Yüksek voltaj güç elektronik uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 58.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.92mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok