Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW65R019C7
75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW65R019C7
IPW65R019C7 Hakkında
IPW65R019C7, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 19mOhm on-resistance (RDS on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında çalışır ve 215nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 58.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.92mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok