Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW65R018CFD7XKSA1

650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW65R018CFD7

IPW65R018CFD7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPW65R018CFD7XKSA1, 650V COOLMOS CFD7 Superjunction N-Channel MOSFET transistördür. 106A sürekli dren akımı ve 18mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, güç dönüştürücüler, enerji yönetimi devreleri ve endüstriyel invertörler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 446W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 234nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygunluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 106A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11659 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 58.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.91mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok