Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R299C
IPW60R299CPFKSA1 Hakkında
IPW60R299CPFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 299mΩ on-state direnci (Rds On) ile güç kaybını minimalize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama devreleri, dc-dc dönüştürücüler, UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 96W güç dağılımı kapasitesi ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok