Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R280P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R280P6

IPW60R280P6FKSA1 Hakkında

IPW60R280P6FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ve 4.5V gate-source eşik voltajıyla hızlı ve güvenli anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok