Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R280C6

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R280C6

IPW60R280C6 Hakkında

IPW60R280C6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 13.8A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 280mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok