Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R250CP
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R250CP
IPW60R250CP Hakkında
IPW60R250CP, 650V ek yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli dren akımı ve 250mΩ (10V, 7.8A'de) RDS(on) direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650V drain-source gerilim değeri ile güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve maksimum 104W güç harcayabilen bu transistör, ±20V gate voltajında güvenli bir şekilde işletilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok