Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R199C
IPW60R199CPFKSA1 Hakkında
IPW60R199CPFKSA1, 600V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 10V gate sürücü gerilimi, 43nC gate yükü ve 1520pF giriş kapasitansı özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, SMPS devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB uygulamalarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok