Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R190P6

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R190P6

IPW60R190P6 Hakkında

IPW60R190P6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç kaynağı devreleri, motor kontrol sistemleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 190mΩ Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 151W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır ve düşük gate charge gereksinimleri sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 630µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok