Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R190E6FKSA1
IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R190
IPW60R190E6FKSA1 Hakkında
IPW60R190E6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V COOLMOS N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 20.2A sürekli drenaj akımı ve 190mOhm açık durum direnci (Rds On) ile enerji dönüştürme devrelerinde, güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 151W maksimum güç dağıtımı yeteneğine sahiptir. 10V kapı sürü voltajı ile kontrol edilebilen transistör, düşük kapı yükü (63nC) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uyundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok