Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R190C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R190C6

IPW60R190C6FKSA1 Hakkında

IPW60R190C6FKSA1, 600V drain-source gerilim ile çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 20.2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 190mΩ (10V, 9.5A) on-dirençi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yaparak enerji dönüştürme, invertör devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ile çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işlemsel sıcaklık toleransı sunar. 151W maksimum güç dağıtımı kapasitesi endüstriyel ve tarım makinaları gibi ağır yük uygulamalarına uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 630µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok