Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R180P7
IPW60R180P7XKSA1 Hakkında
IPW60R180P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum on-direnci (10V gate voltajında) ile verimli iletim sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 72W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok