Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R180C7

IPW60R180C7XKSA1 Hakkında

IPW60R180C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 180mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli güç transferi sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel konvertörler, motorlar sürücüleri, enerji kaynakları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 68W'a kadar güç tüketebilir. ±20V gate gerilimi aralığında kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok