Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R170CFD7XKSA1

IPW60R170CFD7XKSA1 Hakkında

IPW60R170CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 14A sürekli drenaj akımı, 170mΩ RDS(on) ve 28nC gate charge ile endüstriyel uygulamalarda kullanılan bir güç transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltajlı DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve elektriksel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, maksimum 75W güç dağıtabilir. ±20V gate-source voltaj kapasitesi ve düşük input kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1199 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok