Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R165CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPFKSA1 Hakkında
IPW60R165CPFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 21A drenaj akımı kapasitesine ve 165mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 52nC gate charge ve 2000pF input capacitance özelliklerine sahip olan cihaz, ±20V gate-source voltajı aralığında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık desteği sunan ve maksimum 192W güç harcaması yapabilen bu MOSFET, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve yüksek voltaj güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Bağlantı tipi through-hole olup, yüksek voltaj ve akım gereksinimleri olan endüstriyel ve tıbbi cihazlarda tercih edilen bir seçenektir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok