Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R160P6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R160P6
IPW60R160P6 Hakkında
IPW60R160P6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 23.8A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, SMPS (Switched Mode Power Supply) ve yüksek frekans inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında kullanılmasına olanak tanır. Vgs sürücü gerilimi ±20V ile belirlenmiş olup, kapı yükü 44nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok