Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R160C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R160C6
IPW60R160C6FKSA1 Hakkında
IPW60R160C6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 23.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 160 mOhm'luk maksimum Rds(on) değeri ve 10V gate sürüş voltajında düşük iletim kayıpları sağlar. 75 nC gate charge ve 1660 pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve diğer endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok