Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R125P6XKSA1
IPW60R125P6XKSA1 Hakkında
IPW60R125P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V dayanımlı N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 30A sürekli drenaj akımı ve 125mΩ (10V, 11.6A koşullarında) on-direnci ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 219W güç yayınlayabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve indüktif yüklerin sürülmesi gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışabilir. Gate eşik gerilimi 4.5V olup, ±20V gate gerilim aralığında güvenli işletilir. Yüksek frekanslı SMPS ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 219W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 11.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok