Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R125C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R125C6
IPW60R125C6FKSA1 Hakkında
IPW60R125C6FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 30A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), UPS sistemleri ve motor kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırır. -55°C ile 150°C arasında güvenle çalışabilir. 219W maksimum güç dağıtımı özelliği ile yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı ile klasik PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2127 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 219W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok