Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R120P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R120P7

IPW60R120P7XKSA1 Hakkında

IPW60R120P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 26A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç dönüştürme, inverter ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli şekilde kullanılabilir. 120mOhm'luk on-resistance değeri ile enerji kaybını minimuma indirgeyen tasarımdır. 36nC gate charge ve 1544pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına izin verir. Industrial güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan yüksek güvenilirlik bileşenidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1544 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok