Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R120C7
IPW60R120C7XKSA1 Hakkında
IPW60R120C7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 120mΩ (10V, 7.8A) on-state direnci ile güç dönüşüm devreleri, inverter, motor sürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 92W maksimum güç tüketimi ve 34nC gate charge değeri ile verimli komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 92W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok