Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R105CFD7XKSA1

IPW60R105CFD7XKSA1 Hakkında

IPW60R105CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. 105mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, indüktif yüklerin kontrolü, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 42nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1752 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 470µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok