Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R099CPAFKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R099CPA
IPW60R099CPAFKSA1 Hakkında
IPW60R099CPAFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 31A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 105mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve boost konvertörleri gibi yüksek voltajlı sistemlerde yer alır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 255W güç dağıtabilir. 10V gate drive voltajı ile standart PWM kontrollerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok