Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R099CP

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R099CP

IPW60R099CP Hakkında

IPW60R099CP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 99mOhm (10V, 18A'de) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Güç dönüştürücü, inverter, solar uygulamalar ve endüstriyel motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 255W güç üretebildiği için yüksek güç gerektiren devrelerde uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok