Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R099C7
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R099C7
IPW60R099C7 Hakkında
IPW60R099C7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 22A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 110W güç disipasyon kapasitesi ve 99mOhm'luk düşük on-resistance değerleri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, güç dönüştürücüler, inverter ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 42nC gate charge ve 1819pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1819 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok