Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R080P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R080P7

IPW60R080P7XKSA1 Hakkında

IPW60R080P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 37A sürekli drenaj akımı ve 80mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında operasyon yapabilen transistör, endüstriyel invertörler, power supplies, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 51nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 129W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 590µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok