Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R075CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R075CPFKSA1
IPW60R075CPFKSA1 Hakkında
IPW60R075CPFKSA1, 650V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 39A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 75mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 313W maksimum güç saçma özelliğine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, inverter devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Eski üretim parçası statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok