Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R070C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R070C6

IPW60R070C6FKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPW60R070C6FKSA1, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 53A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, solar enerji sistemleri ve UPS gibi yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yer alır. 70mΩ RDS(on) değeri ile yakıt tüketimi minimuma indirir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 391W güç kaybı toleransı nedeniyle uygun soğutma sistemi gereklidir. Not: Bu ürün yeni tasarımlarda kullanılmaması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 25.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.72mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok