Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R060C7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R060C7
IPW60R060C7XKSA1 Hakkında
IPW60R060C7XKSA1, 600V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanmış yüksek güç N-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 10V gate sürüşü koşullarında 60mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Maksimum 162W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamaları, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Gate charge değeri 68nC ve giriş kapasitansi 2850pF (@400V) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma ortamı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok