Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R060C7
IPW60R060C7XKSA1 Hakkında
IPW60R060C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 60mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 162W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında etkin bir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok