Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R045P7
IPW60R045P7XKSA1 Hakkında
IPW60R045P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. 61A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, 45mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. ±20V gate voltajı toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, geniş endüstriyel ve oto motiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 90nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3891 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 201W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.08mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok