Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R041P6
IPW60R041P6FKSA1 Hakkında
IPW60R041P6FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 77.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 170nC (@10V) olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ +150°C) çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, kaynak makineleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 10V drive voltajı ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 481W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.96mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok