Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R041C6
IPW60R041C6FKSA1 Hakkında
IPW60R041C6FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 77.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, inverterler, motor sürücüleri ve yüksek gerilim güç kaynakları gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 10V sürü geriliminde optimize edilmiş karakteristiği sayesinde verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 290nC gate charge ve 6530pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6530 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 481W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 44.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok