Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R040CFD7XKSA1

IPW60R040CFD7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPW60R040CFD7XKSA1, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun bir N-kanal MOSFET transistördür. 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 40mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde verimli performans sunar. TO-247-3 kapsülesinde sunulan bu transistör, 4354pF giriş kapasitansı ve 109nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Endüstriyel invertörler, motor sürücüler, güç kaynakları ve UPS sistemleri gibi yüksek güçlü switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 227W maksimum güç dağılımı yeteneğiyle uzun vadeli güvenilir işletme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok