Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R037P7
IPW60R037P7XKSA1 Hakkında
IPW60R037P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 76A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 37mΩ maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 255W maksimum güç tüketimini destekler. 10V gate sürüş voltajında 121nC gate yükü ve 4V threshold voltajı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5243 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 29.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.48mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok