Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7XKSA1 Hakkında
IPW60R031CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 63A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance (31mΩ @ 32.6A, 10V) özelliği ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 278W maksimum güç disipasyonunda çalışabilir. IGBT teknolojisi yerine tercih edilen modern MOSFET yapısı, yüksek voltajlı DC-DC konvertörleri, invertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5623 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 32.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.63mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok