Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7XKSA1 Hakkında

IPW60R024CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 77A sürekli drenaj akımı ve 24mΩ (maksimum) on-resistance özellikleriyle verimli güç anahtarlaması sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve ±20V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir.

TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama güç kaynakları, solar inverterleri, motor sürücüleri ve elektriksel araç şarj sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 320W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 183nC (maksimum) gate charge değerine sahip olan cihaz, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7268 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 42.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-41
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.12mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok