Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW60R017C7XKSA1
HIGH POWER_NEW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW60R017C7
IPW60R017C7XKSA1 Hakkında
IPW60R017C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 109A sürekli drenaj akımı ve 446W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 17mOhm on-direnci ile verimliliği artırılan transistör, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. TO-247-3 paket tipi ile endüstriyel ve ticari güç elektronik sistemlerinde, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sağlayan bu transistör, ±20V gate-source gerilim toleransı ile geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilirdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 109A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9890 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 58.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.91mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok